周一(3月2日)全球外汇市场要闻速递:1.国家发改委价格监测中心:存储芯片价格持续上涨并向下游传导。2.内存价格创下历史记录手机涨价潮最快一周内落地。3.三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能。4.佰维存储:2025年净利润同比增长437.56%。
主要货币走势分析
美元指数:短期在96.5-98.0区间博弈,中枢97.5,2月中下旬多次测试98未果,阻力强劲且96.5支撑稳固,多空处于均衡状态;技术指标显示短期均线粘合、成交量偏低,9日RSI 61.97(未超买),随机指标74.43%(接近超买),反弹动能未过度释放。日内大概率维持震荡,需关注98突破有效性,站稳则上探98.5,失守97.2则测试96.5,中长期呈弱势,反弹空间有限,需关注美联储政策及地缘风险。
欧元/美元:日线运行于1.1735-1.1920区间,布林带收敛,波动收窄,无明确单边趋势;MACD动能收窄,RSI处于45-55区间(无超买超卖),市场观望情绪浓厚,汇价围绕短期均线整理。日内大概率震荡于1.1750-1.1800,重点关注1.1735支撑与1.1842阻力,突破后打开短期波动空间,跌破下探1.1606,突破则上冲1.1900-1.2000,中长期走势需关注美欧货币政策分化。
英镑/美元:中期弱势格局未改,日线处于下降通道,1.3600遇阻回落,价格始终运行于短中期均线下方,空头主导;MACD空头柱缩短,下行动能降温,RSI 43(偏弱未超卖),短期支撑1.3432,失守将下探1.3400-1.3300,阻力集中在1.3550-1.3600。日内以震荡修复为主,节奏放缓,区间1.3400-1.3480,需警惕支撑失守风险,短期难有持续性反弹,需基本面信号打破当前平衡。
美元/日元:多头格局占优,汇价站稳短期均线,受美日利差支撑,虽动能放缓但无明确反转信号;短期阻力聚焦156.80-157.20(今日已触及156.80),突破后上探158.40,支撑155.00-154.50,跌破将触发获利回吐,需警惕高位出逃风险。日内大概率震荡于155.50-157.00,偏向强势整理,关注156.80突破情况,日本央行政策偏鸽则易涨难跌,若出现干预或获利回吐则回调155.00,中长期看央行决议与美日峰会影响。
周一(3月2日)全球外汇市场要闻速递:
1.国家发改委价格监测中心:存储芯片价格持续上涨并向下游传导。
2.内存价格创下历史记录手机涨价潮最快一周内落地。
3.三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能。
4.佰维存储:2025年净利润同比增长437.56%。
5.淡季不淡,3月TV面板价格继续看涨。
6.Gartner:本轮存储器“超级周期”将毁灭<500美元入门级PC市场。
7.韩国2月份半导体出口额同比增长160.8%,刷新历史纪录。
8.精智达:拟定增募资不超29.6亿元,用于半导体存储测试设备产业化智造等项目。
9.英伟达计划推出新芯片以加快AI处理速度。
10.因内存、硬盘价格飙升,全球最大在线游戏档案馆Myrient下月关站。
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